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讲准字377号:Porous Silicon: Plenty of Room Exists

发布时间:2018-12-03|浏览次数:

讲座报告主题:Porous Silicon: Plenty of Room Exists
专家姓名:葛道晗
日期:2018-12-05 时间:14:00
地点:研究生楼报告厅
主办单位:机械工程学院

主讲简介:葛道晗,1982年生,江苏宜兴人,博士,副教授,硕士生导师。主持国家自然科学基金、江苏省优秀青年基金、江苏省自然科学基金、中国博士后基金、国家重点实验室基金等多项科研项目;发表SCI学术论文20余篇。主要研究方向为硅基微纳多孔结构制备及应用。

主讲内容:Electrochemical silicon etching in HF (hydrofluoric acid)-based electrolytes is a well known technique to produce porous silicon. Depending on the silicon doping, the type of the anodized substrate and the etching parameters, a wide range of pore morphologies can be obtained. Applications of porous silicon have emerged in many technical fields.

 

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